أعلنت ASML وSamsung توسيع شراكتهما في تكنولوجيا EUV عالية الفتحة العددية (High NA).

03:33 صباحًا بتوقيت شرق الولايات المتحدة، 09/08/2026 (MT Newswires) -- أعلنت ASML و Samsung Electronics يوم الثلاثاء أنهما ستوسعان شراكتهما لتطوير تقنيات الطباعة الضوئية عالية الفتحة العددية (High NA EUV) وتصنيع أشباه الموصلات للرقائق الإلكترونية من الجيل القادم. وقالت الشركة إن Samsung ستنضم إلى جهود الصناعة لتطوير أقنعة ضوئية (photomasks) بقياس 12 بوصة لأنظمة High NA EUV، وهو ما يمكن أن يحسّن كفاءة إنتاج الرقائق ويقلل التكاليف مقارنة بالتنسيق الحالي بقياس 6 بوصات. كما تخطط Samsung لاستخدام تقنية High NA EUV من ASML في إنتاج DRAM الضخم بحلول عام 2028، حسب ما أضافته الشركة.